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能量色散X荧光光谱仪 多导毛细聚焦XRF是一款专用于超小测量点或极薄涂层的分析测量的仪器,在柔性电路板、芯片封装环节、晶圆微区的镀层厚度和成分自动测试分析中尽显优势。
可以测量微电子设备、高级线路板、连接器、引线框架和晶片的超微小区域。
1)搭载微聚焦加强型X射线发生器及多导毛细管技术,测量直径可小至10μm
2)全景+微区双相机设计,观察样品更为全面,微区小至微米级别的分辨率,实现更快速便捷的测试
3)基于EFP算法的新一代膜厚测量软件EFP-T,支持基于标样的定量分析,支持无标样定性分析,可同时分析23个镀层,24种元素
4)大面积高分辨率Dpp+Fast SDD探测器,优于125eV
5)测量元素范围:铝Al(13)-铀U(92)
6)涂镀层分析范围:锂Li(3)-铀U(92)
7)安全互锁、防夹手及Z轴防碰撞设置,V区激光保护,保护测量头的同时,测量距离,可测样品类型范围更广
配备全自动可编程移动平台,可实现无人值守,对成百上千个样品进行全自动检测
行业应用:Bumping(Solder Bump- Ag含量检测)
Flip-Chip是优良封装最大市场,Bumping是其主要的工艺,显著提高集成密度。目前,头部晶圆制造厂将Bump Pitch推进至10μm以下,国内大封装厂挺近40μm。
Bumping/μ-Bumping,(微)凸块制造技术是倒装等发展演化的基础工程,并延伸演化出TSV、WLP、2.5D/3D、MEMS等封装结构与工艺,广泛应用于5G、人工智能、云计算、可穿戴电子、物联网、大数据处理及储存等集成电路应用中。
锡银凸块制程中,无铅焊锡:锡银Sn-Ag, 锡银铜Sn-Ag-Cu作为无铅焊锡广泛使用在PCB, Bump上。针对无铅焊锡凸块(Lead Free solder Bump)其中银的浓度大小将直接影响焊锡的熔点和质量,因此在焊锡的质量管理中银含量的浓度要求是十分严格的。而凸块的面积很小, 在常规XRF小样品小准直器光通量小下,不能精准分析其中的Ag含量,很难实现对产品工艺实时优化。
行业应用:金属薄膜沉积厚度及成分检测(PVD/CVD)
芯片是由一系列有源和无源电路元件堆叠而成的3D结构,薄膜沉积是芯片前道制造的核心工艺之一。从芯片截取横截面来看,芯片是由一层层纳米级元件堆叠而成,所有有源电路元件(例如晶体管、存储单元等)集中在芯片底部,另外的部分由上层的铝/铜互连形成的金属层及各层金属之间的绝缘介质层组成。
薄膜的制备需要不同技术原理,因此导致薄膜沉积设备也需要不同技术原理,物理/化学等不同沉积方法相互补充。
薄膜沉积工艺主要分为物理和化学方法两类:
1)物理方法:指利用热蒸发或受到粒子轰击时物质表面原子的溅射等物理过程,实现物质原子从源物质到衬底材料表面的物质转移。物理方法包括物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)、旋涂、电镀(Electrondeposition/Electroplating,ECD/ECP)等
2)化学方法:把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸汽,以合理的气流引入工艺腔室,在衬底表面发生化学反应并在衬底表面上沉积薄膜。化学方法包括化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)和外延(Epitaxy,EPI)等,
PVD主要用来沉积金属及金属化合物薄膜,最主要用于金属互连籽晶层、阻挡层、硬掩膜、焊盘等。磁控溅射PVD主要用于Al金属籽晶层、TiN金属硬掩膜。磁控溅射PVD中的磁控DCPVD是应用广泛的沉积方式,特别是对于平面薄膜的沉积,比如Al互连的金属层,但在Cu互连(CuBs)中应用减少,32nm以下的TiN硬掩膜又开启了这类技术的新应用。离子化PVD主要用于Al的阻挡层、CuBs中的阻挡层和籽晶层,也可以和金属CVD结合用于沉积钨栓塞中的Ti粘附层。
CVD常用于沉积绝缘介质薄膜,用于前段的栅氧化层、侧墙、阻挡层、PMD等领域和后段的IMD、Barc、阻挡层、钝化层等领域,另外CVD也可以制备金属薄膜(如W等)。
XAD-μ-wafer搭载一六仪器国产自研的多导毛细光学系统,同时能够提供小至10μm的光斑、上千倍的强度增益,可以解决Au、Ag、Al、Ti/TiN、V、Ni、W、Cu、Mo镀层精准测试,常规金属薄膜厚度检出限可至1nm。
EFP软件操作界面截图:
1. 清晰化操作界面布局
简约的布局设计,可令操作员快速的掌握软件基本操作。
2. 程式快捷键按钮设计
增加了日常镀层程序快捷键设计按钮,无需进入程序库挑选,便可快速检测,提升工作效率。
3. 高清全景微区可视化窗口
可以清晰直观的观测到被检测样品的状态,通过变焦调节旋钮,达到用户理想的观测效果。
4. 仪器数据实时监测数据汇总
可一目了然的观测到仪器所有数据,有任何异常,系统都将第一时间提醒,大大降低操作失误。
产品名称 | 能量色散X荧光光谱仪 多导毛细聚焦XRF |
产品型号 | XAD-μ-wafer |
测量元素范围 | Al(13)- U(92) |
涂镀层分析范围 | Li(3)- U(92) |
EFP算法 | 标配 |
分析软件 | 同时分析23个镀层,24种元素 |
不同层相同 元素检测能力 | 标配 |
软件操作 | 基于新一代的EFP算法,人性化封闭软件,自动判断故障提示校正及操作步骤,避免误操作 |
X射线装置 | 微聚焦加强型射线管,靶材可选:Mo、Rh、Cr、W |
探测器 | DPP+Fast SDD探测器70mm² |
毛细聚焦光学器件 | 标配15μm FWHM(选配5-100μm) |
滤光片 | 8种滤光片切换装置 |
放大倍数 | 广角+微区相机(光学放大330倍,数字放大1-6倍) |
Z轴移动范围 | 依样品定制,适配行程可>100mm |
样品台移动方式 | 全自动高精密XY平台 |
样品台行程 | 300*300mm(可定制600*600mm) |
其他附件 | 电脑一套、打印机、附件箱、十二元素片(可选配定制晶圆转运器、寻边器、真空吸附装置等) |
X射线标准 | DIN ISO 3497、DIN 50987和ASTM B 568 |